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              氮化鎵概念股 +訂閱 龍頭股:海特高新

              氮化鎵概念股

              氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料的典型代表,法國研究機構Yole 預測,到2023 年氮化鎵射頻器件的市場(chǎng)規模將達到13 億美元,復合增速為22.9%。隨著(zhù)第三代半導體材料的崛起,基于新材料的IGBT 也將站上歷史舞臺。IGBT 主要應用領(lǐng)域之一的新能源汽車(chē)也已經(jīng)打開(kāi)市場(chǎng),未來(lái)空間巨大。

              氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類(lèi)似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線(xiàn)性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。

              氮化鎵概念股

              成分股富滿(mǎn)電子、海特高新、聞泰科技、雅克科技、三安光電、耐威科技、士蘭微、南大光電、海陸重工、瑞芯微、云南鍺業(yè)、有研新材、乾照光電、華潤微
              蘋(píng)果也要推出氮化鎵充電器

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              半導體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段。 第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導體原料;第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;...

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